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Types OPB700TX, OPB700TXV
Electrical Characteristics (T A = 25 o C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max Units
Test Conditions
Input Diode
V F
Forward Voltage (6)
1.10
1.30
0.90
1.60
1.80
1.40
1.80
2.00
1.70
V
V
V
I F = 50.0 mA
I F = 50.0 mA, T A = -55 o C
I F = 50.0 mA, T A = 100 o C
I R
Reverse Current
0.1
100
μ A
V R = 2.0 V
Output Phototransistor
V (BR)CEO
V (BR)ECO
I C(off)
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Collector-Emitter Dark Current
50
7.0
110
10.0
10
100
100
V
V
nA
μ A
I C = 1.0 mA, I F = 0
I E = 100 μ A, I F = 0
V CE = 10.0 V, I F = 0
V CE = 10.0 V, I F = 0, T A = 100 o C
Combined
I C(on)
On-State Collector Current
d = 0.20 in. (5.08mm) (2,3,6)
50
25
200
μ A
μ A
V CE = 5.0 V, I F = 40.0 mA
V CE = 5.0 V, I F = 40.0 mA, T A = -55 o C
25
μ A
V CE = 5.0 V, I F = 40.0 mA, T A = 100 o C
I CX
V CE(SAT)
Crosstalk (No Reflective Surface (3)
Collector-Emitter Saturation Voltage
d = 0.20 in. (5.08mm) (2,3)
2.0
0.40
μ A
V
V CE = 5.0 V, I F = 40.0 mA
I C = 10.0 μ A, I F = 40.0 mA
t r
t f
Output Rise Time
Output Fall Time
12.0
12.0
20.0
20.0
μ s
μ s
V CC = 10.0 V, I F = 20.0 mA,
R L = 1,000 ?
(6) Measurement is taken during the last 500 μ s of a single 1.0 ms test pulse. Heating due to increased pulse rate or pulse width can cause
change in measurement results.
Optek reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Optek Technology, Inc. 1215 W. Crosby Road Carrollton, Texas 75006 (972)323-2200
13-37
Fax (972)323-2396
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